DIY Battery Project 2024　木陽塾: RT @Hisan_twi: HfO₂ 従来Si MOSFETのゲート絶縁膜といえばSiO₂でした。しかし、微細化により小面積でもゲートのキャパシタンス容量を大きくすることが必要になり、高誘電率な絶縁体が必要になりました。これに対し様々な酸化物が検討され、Siとのバンド構造の相性からHfO₂が選ばれました。

RT @Hisan_twi: HfO₂ 従来Si MOSFETのゲート絶縁膜といえばSiO₂でした。しかし、微細化により小面積でもゲートのキャパシタンス容量を大きくすることが必要になり、高誘電率な絶縁体が必要になりました。これに対し様々な酸化物が検討され、Siとのバンド構造の相性からHfO₂が選ばれました。

HfO₂

従来Si MOSFETのゲート絶縁膜といえばSiO₂でした。しかし、微細化により小面積でもゲートのキャパシタンス容量を大きくすることが必要になり、高誘電率な絶縁体が必要になりました。これに対し様々な酸化物が検討され、Siとのバンド構造の相性からHfO₂が選ばれました。
— ヒサン＠電子材料・デバイスbot (@Hisan_twi) September 19, 2018

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September 20, 2018 at 08:06AM
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